KRI 射频离子源 RFICP 380

价格电议

KRI 射频离子源 RFICP 380 特性：

1.       放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配

2.       离子源结构模块化设计

3.       离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行

4.       全自动控制器

5.       离子束动能 100-1200eV

6.       栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用

射频离子源 RFICP 380 技术规格：

上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.