程控扩散炉技术指标:
u可处理硅片尺寸:2—12英寸
u外型形式:卧式1—4管结构
u工作温度:200℃—1300℃
u恒温区长度及精度:200mm—1100mm≤±0.5℃
u单点温度稳定性、重复性:≤±1℃/24h
u温度斜变:可控升温速率15℃/min
u可控降温速率:5℃/min
u送片装置:手动推拉
u气路系统:1—5路工艺气体/管
u气体控制:手动浮子流量计
u控制方式:程控
责权声明:
①本版块的所有文章及图片均为客户自行编辑,其版权为客户所有,客户需保证其编辑的文章及图片均无侵犯任何第三方的合法权益,如被第三方维权,由客户承担全部责任;
② 本网站仅为展示平台,如要转载,请与我网站联系协助获得授权;
③发布内容如有侵权,请及时联系我网站进行删除。
※ 联系电话:0535-2154193